Construção de um amplificador de potência usando transístores GaN
| title: | Construção de um amplificador de potência usando transístores GaN |
| authors: | Sá, Pedro Manuel Oliveira e |
| advisors: | Carvalho, Nuno Borges Cabral, Pedro |
| keywords: | Engenharia electrónica Radiofrequência Amplificadores de potência Nitreto de gálio |
| issue date: | 2008 |
| publisher: | Universidade de Aveiro |
| abstract: | Esta tese insere-se na área da Electrónica e Telecomunicações, mais precisamente na área da electrónica de rádio-frequência. Destina-se a projectar e implementar um Amplificador de Potência, a operar na banda do 1GHz, utilizando transístores de Nitreto de Gálio. A tecnologia dos semicondutores tem sofrido um grande desenvolvimento, devido essencialmente ao aparecimento de novos semicondutores como o Nitreto de Gálio. Este apresenta uma elevada banda proibida e uma elevada mobilidade electrónica. Como resultado, são permitidas tensões de disrupção mais altas, proporcionando maior capacidade de potência de saída, bem como a utilização de frequências de operação mais elevadas. Assim, espera-se substituir os Amplificadores a Válvulas (TWTAs, Travelling Wave Tube Amplifiers) por Amplificadores de estado sólido, baseados em transístores de Nitreto de Gálio, em particular na indústria das Telecomunicações. ABSTRACT: This thesis is framed in the electronics’ and telecommunications’ area, specifically in the radiofrequency electronics area. It is intended to plan and implement a Power Amplifier, operating in the 1 GHz band, using Gallium Nitride transistors. The semiconductor’s technology has had a great development, essentially due to the appearance of new semiconductors such as Gallium Nitride. The latter presents a high forbidden band and a high electronic mobility. As a result, higher breakdown voltages are allowed, assuring a greater exit power capacity, as well as the use of higher operation frequencies. Thus, one expects to replace the Tubes Amplifiers (TWTAs, Travelling Wave Tube Amplifiers ) by solid state Amplifiers, based on Gallium Nitride transistors, particularly in the Telecommunication’s industry. |
| description: | Mestrado em Engenharia Eléctrónica e Telecomunicações |
| URI: | http://hdl.handle.net/10773/1942 |
| appears in collections | DETI – Dissertações de mestrado UA – Dissertações de mestrado |
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